창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-562R10TST68RR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 561R, 562R Series Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Vishay BC Components | |
계열 | Cera-Mite 562R | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 680pF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
온도 계수 | X5F | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
크기/치수 | 0.291" Dia(7.40mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.417"(10.58mm) | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | 0.252"(6.40mm) | |
특징 | - | |
리드 유형 | 스트레이트형 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 562R10TST68RR | |
관련 링크 | 562R10T, 562R10TST68RR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
MLF2012A1R8JTD25 | 1.8µH Shielded Multilayer Inductor 80mA 450 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A1R8JTD25.pdf | ||
QD2764A-3 | QD2764A-3 INTEL DIP | QD2764A-3.pdf | ||
1641OBA | 1641OBA AGERE BGA | 1641OBA.pdf | ||
SDA20160-A525 | SDA20160-A525 SIEMENS DIP40 | SDA20160-A525.pdf | ||
LG413L | LG413L KODENSHI GAP3.6-DIP3 | LG413L.pdf | ||
EMVE451ARA4R7MKG5S | EMVE451ARA4R7MKG5S NIPPONCHEMI-COM SMD or Through Hole | EMVE451ARA4R7MKG5S.pdf | ||
215-0674058 (RADEON IGP) | 215-0674058 (RADEON IGP) AMD BGA | 215-0674058 (RADEON IGP).pdf | ||
WF1H477M12025BB280 | WF1H477M12025BB280 ORIGINAL SMD or Through Hole | WF1H477M12025BB280.pdf | ||
MQW080897M1747A1T9 | MQW080897M1747A1T9 MURATA SMD or Through Hole | MQW080897M1747A1T9.pdf | ||
RT9292BPJ6 | RT9292BPJ6 RICHTEK SOT23-6 | RT9292BPJ6.pdf |