창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-531BC125M000DGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si530/531 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si531 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
주파수 | 125MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVDS | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±7ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 98mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.071"(1.80mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 75mA | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 531BC125M000DGR | |
관련 링크 | 531BC125M, 531BC125M000DGR 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
DMG4800LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 | DMG4800LK3-13.pdf | ||
RG2012P-5362-D-T5 | RES SMD 53.6K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-5362-D-T5.pdf | ||
s6 | s6 ORIGINAL SMD or Through Hole | s6.pdf | ||
K6R4008C1C-TE10 | K6R4008C1C-TE10 SAMSUNG TSOP-44 | K6R4008C1C-TE10.pdf | ||
UPF1E101MEH | UPF1E101MEH NICHICON DIP | UPF1E101MEH.pdf | ||
D220G20U2JH63L2R | D220G20U2JH63L2R VISHAY DIP | D220G20U2JH63L2R.pdf | ||
FMB108 | FMB108 HY/ SMD or Through Hole | FMB108.pdf | ||
TLC431ACDR | TLC431ACDR TI SMD or Through Hole | TLC431ACDR.pdf | ||
SPP16CN10N | SPP16CN10N INFINEON TO-220 | SPP16CN10N.pdf | ||
EGHA160EC5561MJ16S | EGHA160EC5561MJ16S Chemi-con NA | EGHA160EC5561MJ16S.pdf | ||
BCM7403ZKPB | BCM7403ZKPB BCM BGA | BCM7403ZKPB.pdf |