창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM | |
| 관련 링크 | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 51, 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 402F26011CDR | 26MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26011CDR.pdf | |
![]() | 3EZ36D5E3/TR8 | DIODE ZENER 36V 3W DO204AL | 3EZ36D5E3/TR8.pdf | |
![]() | AT1206DRD0748R7L | RES SMD 48.7 OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD0748R7L.pdf | |
![]() | RNV14FAL200K | RES MF HV .25W 200K OHM 1% AXIAL | RNV14FAL200K.pdf | |
![]() | YR1B750KCC | RES 750K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B750KCC.pdf | |
![]() | IRFB4610 TO220 | IRFB4610 TO220 ORIGINAL TO220 | IRFB4610 TO220.pdf | |
![]() | 100NH02L | 100NH02L ST TO-263 | 100NH02L.pdf | |
![]() | ADM1175-3ARMZ-R7 | ADM1175-3ARMZ-R7 ADI MSOP10 | ADM1175-3ARMZ-R7.pdf | |
![]() | AIC1720-36CX | AIC1720-36CX AIC SOT89 | AIC1720-36CX.pdf | |
![]() | FH-3545 VER:2.0 | FH-3545 VER:2.0 MAGNECRAFT RMCF | FH-3545 VER:2.0.pdf | |
![]() | A59.. | A59.. ORIGINAL MSOP-8 | A59...pdf | |
![]() | 1118-25 | 1118-25 ATC SOP-8 | 1118-25.pdf |