창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-511RBB-BBAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si510, 511 | |
제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si511 | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 125MHz ~ 169.999MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS, Dual(동위상) | |
전압 - 공급 | 1.8V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
주파수 안정도(총) | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 26mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.050"(1.28mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 511RBB-BBAG | |
관련 링크 | 511RBB, 511RBB-BBAG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
06033A200JA7F6J | 20pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A200JA7F6J.pdf | ||
DFCH51G95HDNBA-RFB | SIGNAL CONDITIONING 1.95GHZ | DFCH51G95HDNBA-RFB.pdf | ||
A7116E5V-18B | A7116E5V-18B IAT SOT23-5 | A7116E5V-18B.pdf | ||
2700MT-ADJ | 2700MT-ADJ NSC TSSOP | 2700MT-ADJ.pdf | ||
C34C1 | C34C1 PRX MODULE | C34C1.pdf | ||
RPI-574PST1 | RPI-574PST1 ROHM GAP5-DIP4 | RPI-574PST1.pdf | ||
VGT7637-6226 | VGT7637-6226 VLSI PLCC84 | VGT7637-6226.pdf | ||
TSAL5202 | TSAL5202 VISHAY DIP-2 | TSAL5202.pdf | ||
FMD3S-W | FMD3S-W RECTRON MINI-SMD DIP | FMD3S-W.pdf | ||
M58LW032A90ZA1 | M58LW032A90ZA1 ST BGA | M58LW032A90ZA1.pdf | ||
CL10T0R8CB8ANNNC | CL10T0R8CB8ANNNC SAMSUNG SMD | CL10T0R8CB8ANNNC.pdf | ||
NHD-0420DZ-FL-YBW | NHD-0420DZ-FL-YBW NEWHAVEN SMD or Through Hole | NHD-0420DZ-FL-YBW.pdf |