창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-510BBA-CBAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si510, 511 | |
| 제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
| 주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Silicon Labs | |
| 계열 | Si510 | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | XO(표준) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 170MHz ~ 250MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVDS | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 주파수 안정도(총) | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 23mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.050"(1.28mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 510BBA-CBAG | |
| 관련 링크 | 510BBA, 510BBA-CBAG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 | |
![]() | RP73D2B147KBTG | RES SMD 147K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B147KBTG.pdf | |
![]() | TCX0G100BS#R | TCX0G100BS#R DAEWOO SMD or Through Hole | TCX0G100BS#R.pdf | |
![]() | HCF4585BEY | HCF4585BEY STM SMD or Through Hole | HCF4585BEY.pdf | |
![]() | C2012Y5V1A475Z | C2012Y5V1A475Z TDK SMD or Through Hole | C2012Y5V1A475Z.pdf | |
![]() | 1616L DIP-8 | 1616L DIP-8 UTC DIP8 | 1616L DIP-8.pdf | |
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![]() | LM89-1CIMX | LM89-1CIMX NSC SOP8 | LM89-1CIMX.pdf | |
![]() | ADSP-2128BST-133 | ADSP-2128BST-133 AD TQFP128 | ADSP-2128BST-133.pdf | |
![]() | TESVB21C335M8R (16V/3.3uF) | TESVB21C335M8R (16V/3.3uF) NEC SMD or Through Hole | TESVB21C335M8R (16V/3.3uF).pdf | |
![]() | 4X4E16L | 4X4E16L ORIGINAL QFN | 4X4E16L.pdf | |
![]() | 2SK4017(F | 2SK4017(F ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SK4017(F.pdf | |
![]() | LM2575M-5.0P+ | LM2575M-5.0P+ NS SOP28 | LM2575M-5.0P+.pdf |