창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-4N46-560E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 4N45, 46 Series | |
| PCN 설계/사양 | Mult Device Design Changes 10/Nov/2015 Molding Chg 08/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Multiple Devices Marking/Labeling 07/Aug/2013 Marking/Labeling Revision B 14/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Broadcom Limited | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 3750Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 200% @ 10mA | |
| 전류 전달비(최대) | 1000% @ 10mA | |
| 턴온/턴오프(통상) | 5µs, 150µs | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 베이스 포함 달링턴 | |
| 전압 - 출력(최대) | 20V | |
| 전류 - 출력/채널 | 60mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.4V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 20mA | |
| Vce 포화(최대) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SMD | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 4N46-560E | |
| 관련 링크 | 4N46-, 4N46-560E 데이터 시트, Broadcom Limited 에이전트 유통 | |
| AON7406 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-DFN | AON7406.pdf | ||
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![]() | RM3503ADC | RM3503ADC RAYTHEON CDIP14 | RM3503ADC.pdf | |
![]() | XC2V2000TM | XC2V2000TM XILINX SMD or Through Hole | XC2V2000TM.pdf | |
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![]() | IDT79R3010A-16QJ | IDT79R3010A-16QJ IDT PLCC-84 | IDT79R3010A-16QJ.pdf | |
![]() | 2SK2340 | 2SK2340 MAT TO-220F | 2SK2340.pdf | |
![]() | SB05-05CPI-7B | SB05-05CPI-7B SANYO SMD or Through Hole | SB05-05CPI-7B.pdf | |
![]() | 4610X-101-504 | 4610X-101-504 BOURNS DIP | 4610X-101-504.pdf | |
![]() | ATP08ASM | ATP08ASM CTS SMD | ATP08ASM.pdf | |
![]() | Q67060-S6129-A101 | Q67060-S6129-A101 Infineon SMD or Through Hole | Q67060-S6129-A101.pdf |