창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-4N33 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 4N32, 4N33 | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Opto Division | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 5300Vrms | |
전류 전달비(최소) | 500% @ 10mA | |
전류 전달비(최대) | - | |
턴온/턴오프(통상) | 5µs, 100µs(최대) | |
상승/하강 시간(통상) | - | |
입력 유형 | DC | |
출력 유형 | 베이스 포함 달링턴 | |
전압 - 출력(최대) | 30V | |
전류 - 출력/채널 | 100mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.25V | |
전류 - DC 순방향(If) | 60mA | |
Vce 포화(최대) | 1V(일반) | |
작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 6-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 6-DIP | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 4N33GI 4N33GI-ND 4N33VS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 4N33 | |
관련 링크 | 4N, 4N33 데이터 시트, Vishay Semiconductor Opto Division 에이전트 유통 |
LQH32PB101MN0L | 100µH Shielded Wirewound Inductor 250mA 3.24 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32PB101MN0L.pdf | ||
2534R-48K | 10mH Unshielded Molded Inductor 58mA 51 Ohm Max Radial | 2534R-48K.pdf | ||
RC2010FK-0747KL | RES SMD 47K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-0747KL.pdf | ||
74HCT02T | 74HCT02T SOP SOP14 | 74HCT02T.pdf | ||
215-0670003 | 215-0670003 ATI BGA | 215-0670003.pdf | ||
MID-85A1C | MID-85A1C UNI SMD or Through Hole | MID-85A1C.pdf | ||
DS74ALS09MX | DS74ALS09MX FSC SMD or Through Hole | DS74ALS09MX.pdf | ||
RK73H3ATE3321F | RK73H3ATE3321F KOA SMD | RK73H3ATE3321F.pdf | ||
UPD78014GC-J09-AB8-E2 | UPD78014GC-J09-AB8-E2 NEC PQFQ | UPD78014GC-J09-AB8-E2.pdf | ||
GTC1005P-R15K | GTC1005P-R15K Got SMD | GTC1005P-R15K.pdf | ||
SHA-120M | SHA-120M PREMO SMD | SHA-120M.pdf | ||
K5E1H12 | K5E1H12 SAMSUNG BGA | K5E1H12.pdf |