Everlight Electronics Co Ltd 4N26S(TB)-V

4N26S(TB)-V
제조업체 부품 번호
4N26S(TB)-V
제조업 자
제품 카테고리
광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력
간단한 설명
Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP SMD
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4N26S(TB)-V 매개 변수
내부 부품 번호EIS-4N26S(TB)-V
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서4N2x,3x,H11Ax Series
종류절연기
제품군광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력
제조업체Everlight Electronics Co Ltd
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황*
채널 개수1
전압 - 분리5000Vrms
전류 전달비(최소)20% @ 10mA
전류 전달비(최대)-
턴온/턴오프(통상)3µs, 3µs
상승/하강 시간(통상)-
입력 유형DC
출력 유형베이스 포함 트랜지스터
전압 - 출력(최대)80V
전류 - 출력/채널-
전압 - 순방향(Vf) 통상1.2V
전류 - DC 순방향(If)60mA
Vce 포화(최대)500mV
작동 온도-55°C ~ 110°C
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 갈매기날개형
공급 장치 패키지6-DIP SMD
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)4N26S(TB)-V
관련 링크4N26S(, 4N26S(TB)-V 데이터 시트, Everlight Electronics Co Ltd 에이전트 유통
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19.2MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 425F22A019M2000.pdf
38.4K E SMD or Through Hole 38.4K.pdf
GBAW56-N GTM SOT-23 GBAW56-N.pdf
ERWE501LGC102MD96M NIPPON SMD or Through Hole ERWE501LGC102MD96M.pdf
BM30040X6PBF NIPPON DIP BM30040X6PBF.pdf
SST32HF1642-70-4E-LS SST SMD or Through Hole SST32HF1642-70-4E-LS.pdf
60HQ010 IR SMD or Through Hole 60HQ010.pdf
AT09203-D5-4F FOXCONN SMD or Through Hole AT09203-D5-4F.pdf
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MC33580 MOT SMD or Through Hole MC33580.pdf
SJ-2502-D PACKARDHU SMD or Through Hole SJ-2502-D.pdf
KM48L8000CS-6 SAMSUNG TSOP KM48L8000CS-6.pdf