창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-4EA1000A0Z3BACUGI8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IDT4EA1000A0Z3 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
제조업체 | IDT, Integrated Device Technology Inc | |
계열 | 4EA1000A0Z3 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 - 출력 1 | 100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 200MHz | |
주파수 -출력 2 | 25MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS, LVPECL | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 130mA(일반) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IDT4EA1000A0Z3BACUGI8 IDT4EA1000A0Z3BACUGI8-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 4EA1000A0Z3BACUGI8 | |
관련 링크 | 4EA1000A0Z, 4EA1000A0Z3BACUGI8 데이터 시트, IDT, Integrated Device Technology Inc 에이전트 유통 |
CQ0402CRNPO9BN7R0 | 7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CQ0402CRNPO9BN7R0.pdf | ||
CBR02C709B9GAC | 7pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C709B9GAC.pdf | ||
RN1606(TE85L,F) | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 | RN1606(TE85L,F).pdf | ||
PRG3216P-2371-B-T5 | RES SMD 2.37K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-2371-B-T5.pdf | ||
MCP67MV-A2 | MCP67MV-A2 NVIDIA BGA | MCP67MV-A2.pdf | ||
16V8H-15PC | 16V8H-15PC ORIGINAL DIP | 16V8H-15PC.pdf | ||
EC3BB24 | EC3BB24 Cincon SMD or Through Hole | EC3BB24.pdf | ||
LECB | LECB N/A SOT23-5 | LECB.pdf | ||
VPA504 | VPA504 VP ZIP | VPA504.pdf | ||
HFA3724 | HFA3724 INTERSIL QFP | HFA3724.pdf | ||
AS1E226M6L007 | AS1E226M6L007 samwha DIP-2 | AS1E226M6L007.pdf |