IDT, Integrated Device Technology Inc 4EA1000A0Z3BACUGI
- 제조업체 부품 번호
- 4EA1000A0Z3BACUGI
- 제조업 자
- IDT, Integrated Device Technology Inc
- 제품 카테고리
- 핀 구성 가능 발진기
- 간단한 설명
- 100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 200MHz CMOS, LVPECL MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 6-SMD, No Lead (DFN, LCC) 2.5V 130mA (Typ) Enable/Disable
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
4EA1000A0Z3BACUGI 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 6,285.71000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 4EA1000A0Z3BACUGI 재고가 있습니다. 우리는 IDT, Integrated Device Technology Inc 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 IDT, Integrated Device Technology Inc 전자 부품 전문. 4EA1000A0Z3BACUGI 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 4EA1000A0Z3BACUGI가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- 4EA1000A0Z3BACUGI 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
4EA1000A0Z3BACUGI 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-4EA1000A0Z3BACUGI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IDT4EA1000A0Z3 MEMS Osc: 4E Series Prod Brief | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
| 제조업체 | IDT, Integrated Device Technology Inc | |
| 계열 | 4EA1000A0Z3 | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 - 출력 1 | 100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 200MHz | |
| 주파수 -출력 2 | 25MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS, LVPECL | |
| 전압 - 공급 | 2.5V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 130mA(일반) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | IDT4EA1000A0Z3BACUGI IDT4EA1000A0Z3BACUGI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 4EA1000A0Z3BACUGI | |
| 관련 링크 | 4EA1000A0Z, 4EA1000A0Z3BACUGI 데이터 시트, IDT, Integrated Device Technology Inc 에이전트 유통 | |
4EA1000A0Z3BACUGI 의 관련 제품
 | 12061C123KAT2A | 0.012µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061C123KAT2A.pdf | |
 | BZW04-33B-E3/54 | TVS DIODE 33.3VWM DO204AL | BZW04-33B-E3/54.pdf | |
| 4232-271G | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 410mA 720 mOhm Max 2-SMD | 4232-271G.pdf | |
 | ERJ-S03F3011V | RES SMD 3.01K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F3011V.pdf | |
.jpg) | AT0603CRD0716K5L | RES SMD 16.5K OHM 1/10W 0603 | AT0603CRD0716K5L.pdf | |
| HGT1S20N60C3S | HGT1S20N60C3S FAIRCHILD TO-263(D2PAK) | HGT1S20N60C3S.pdf | |
| MC78PC33NTR NOPB | MC78PC33NTR NOPB ON SOT153 | MC78PC33NTR NOPB.pdf | |
| UN5200104 | UN5200104 ICS SOP-28L | UN5200104.pdf | |
| 125T-1R0M | 125T-1R0M ORIGINAL SMD or Through Hole | 125T-1R0M.pdf | |
| D2SW-3L2H | D2SW-3L2H OMRON SMD or Through Hole | D2SW-3L2H.pdf | |
| NECC305C | NECC305C ORIGINAL c | NECC305C.pdf | |
| TLE42764GV50XT | TLE42764GV50XT Infineon SMD or Through Hole | TLE42764GV50XT.pdf |