창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-46V16M16MBTG-6T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 46V16M16MBTG-6T | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TSOP66 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 46V16M16MBTG-6T | |
| 관련 링크 | 46V16M16M, 46V16M16MBTG-6T 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812A620KBBAT4X | 62pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A620KBBAT4X.pdf | |
![]() | DPP1P15K-F | 0.15µF Film Capacitor 70V 100V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.433" W (26.00mm x 11.00mm) | DPP1P15K-F.pdf | |
![]() | 416F25022CST | 25MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25022CST.pdf | |
![]() | IRF624STRR | MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK | IRF624STRR.pdf | |
![]() | MWE6IC9080NBR1 | RF Amplifier IC GSM, EDGE 865MHz ~ 960MHz TO-272 WB-14 | MWE6IC9080NBR1.pdf | |
![]() | SM6T120CA | SM6T120CA ST DO-214 | SM6T120CA.pdf | |
![]() | ZR36746 | ZR36746 ZORAN QFP | ZR36746.pdf | |
![]() | S16S30D | S16S30D mospec TO- | S16S30D.pdf | |
![]() | 2SD1630 | 2SD1630 NEC TO-126 | 2SD1630.pdf | |
![]() | DT70PW135P | DT70PW135P TDK-Lambda SMD or Through Hole | DT70PW135P.pdf | |
![]() | COP326C-NTW/N/COPC326-NTW/N | COP326C-NTW/N/COPC326-NTW/N NS DIP | COP326C-NTW/N/COPC326-NTW/N.pdf | |
![]() | K4S561633C-PW1L | K4S561633C-PW1L SAMSUNG BGA | K4S561633C-PW1L.pdf |