창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-445C35E13M00000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 445 Series Datasheet | |
| 주요제품 | 445 Series Glass Seal Crystals | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 수정 | |
| 제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
| 계열 | 445 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MHz 수정 | |
| 주파수 | 13MHz | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 주파수 허용 오차 | ±30ppm | |
| 부하 정전 용량 | 20pF | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 50옴 | |
| 작동 모드 | 기본 | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.053"(1.35mm) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 445C35E13M00000 | |
| 관련 링크 | 445C35E13, 445C35E13M00000 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM033C80G683KE19D | 0.068µF 4V 세라믹 커패시터 X6S 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033C80G683KE19D.pdf | |
![]() | 7M12000020 | 12MHz ±30ppm 수정 8pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M12000020.pdf | |
![]() | ELJ-SC560KF | 56µH Shielded Inductor 10mA 7.1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | ELJ-SC560KF.pdf | |
![]() | LM741J/883B | LM741J/883B NS SMD or Through Hole | LM741J/883B.pdf | |
![]() | M62435FP | M62435FP RENESAS S0P | M62435FP.pdf | |
![]() | MC43E08 | MC43E08 MOT QFP | MC43E08.pdf | |
![]() | NTMS4800N | NTMS4800N ON SOP8 | NTMS4800N.pdf | |
![]() | A1361LKTTN-T | A1361LKTTN-T ALLEGRO SIP4 | A1361LKTTN-T.pdf | |
![]() | IDT100A474S50DF | IDT100A474S50DF IDT SMD or Through Hole | IDT100A474S50DF.pdf | |
![]() | NAND256W3AOBE06 | NAND256W3AOBE06 ST BGA | NAND256W3AOBE06.pdf | |
![]() | VSC8025TQ | VSC8025TQ VITESSC BGA | VSC8025TQ.pdf | |
![]() | S3C7528D68-QZR4 | S3C7528D68-QZR4 SAMSUNG QFP | S3C7528D68-QZR4.pdf |