창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3N164 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3N163,3N164 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300옴 @ 100µA, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-72 | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3N164 | |
| 관련 링크 | 3N1, 3N164 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5339E3/TR8 | DIODE ZENER 5.6V 5W T18 | 1N5339E3/TR8.pdf | |
![]() | IDT49FCT-3805PY | IDT49FCT-3805PY IDT SSOP | IDT49FCT-3805PY.pdf | |
![]() | 075N15N | 075N15N INFINEON TO-262 | 075N15N.pdf | |
![]() | RM24M9D28 | RM24M9D28 ORIGINAL SMD or Through Hole | RM24M9D28.pdf | |
![]() | VFR1140B-12-TR | VFR1140B-12-TR STANLEY SMD or Through Hole | VFR1140B-12-TR.pdf | |
![]() | LH537N39 | LH537N39 ORIGINAL DIP | LH537N39.pdf | |
![]() | MU6451B1BT30G50 | MU6451B1BT30G50 amphenol SMD or Through Hole | MU6451B1BT30G50.pdf | |
![]() | TLP563 | TLP563 TOSHIBA TO-3 | TLP563.pdf | |
![]() | AD7893ANZ-10 | AD7893ANZ-10 ADI SMD or Through Hole | AD7893ANZ-10.pdf | |
![]() | B57621C5472M062 | B57621C5472M062 EPCOS NA | B57621C5472M062.pdf | |
![]() | 82C951 | 82C951 ORIGINAL SMD or Through Hole | 82C951.pdf | |
![]() | LB1461 | LB1461 ORIGINAL ZIP10 | LB1461.pdf |