창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3LN01S-TL-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3LN01S | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7옴 @ 80mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SMCP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 3LN01S-TL-E-ND 3LN01S-TL-EOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3LN01S-TL-E | |
관련 링크 | 3LN01S, 3LN01S-TL-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
333PPB162K | 0.03µF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.394" W (26.50mm x 10.00mm) | 333PPB162K.pdf | ||
SMC3K70CAHM3/9A | TVS DIODE 70VWM 113VC DO-214AB | SMC3K70CAHM3/9A.pdf | ||
PHILIPS3186FH154T035APA2150000UF-10+50% | PHILIPS3186FH154T035APA2150000UF-10+50% ORIGINAL SMD or Through Hole | PHILIPS3186FH154T035APA2150000UF-10+50%.pdf | ||
LM78L05-HTC | LM78L05-HTC HTC SMD or Through Hole | LM78L05-HTC.pdf | ||
30369-0420 | 30369-0420 BOSCH SMD or Through Hole | 30369-0420.pdf | ||
PXAG30KBBP | PXAG30KBBP HD QFP | PXAG30KBBP.pdf | ||
157KXM100MRP | 157KXM100MRP ILLCAP DIP | 157KXM100MRP.pdf | ||
D44165084F5 | D44165084F5 NEC SMD or Through Hole | D44165084F5.pdf | ||
EP17-3C94-A100 | EP17-3C94-A100 FERROX SMD or Through Hole | EP17-3C94-A100.pdf | ||
BCW60 E6327 | BCW60 E6327 Infineon SOT23 | BCW60 E6327.pdf | ||
RJ21T3 | RJ21T3 SHARP BGA | RJ21T3.pdf | ||
MB622619PF-G-BND | MB622619PF-G-BND FUJ MQFP2020 | MB622619PF-G-BND.pdf |