창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ82D5/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ82D5/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ82D, 3EZ82D5/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LP24CF33IET | 24.576MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP24CF33IET.pdf | |
![]() | 425F11A019M2000 | 19.2MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F11A019M2000.pdf | |
![]() | MBR60035CT | DIODE MODULE 35V 600A 2TOWER | MBR60035CT.pdf | |
![]() | 9-2176092-9 | RES SMD 8.87K OHM 0.1% 1/4W 0805 | 9-2176092-9.pdf | |
![]() | SIL9134TU | SIL9134TU SIL QFP | SIL9134TU.pdf | |
![]() | 1SS367(TH3.F) | 1SS367(TH3.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS367(TH3.F).pdf | |
![]() | AA7812 | AA7812 ASTEC SMD or Through Hole | AA7812.pdf | |
![]() | S-2030 | S-2030 COPAL DIP | S-2030.pdf | |
![]() | N80C188XL28 | N80C188XL28 INTEL PLCC | N80C188XL28.pdf | |
![]() | PLFC1035P-331A | PLFC1035P-331A NEC SMD or Through Hole | PLFC1035P-331A.pdf | |
![]() | A0019E7050AA1 | A0019E7050AA1 TOPARTSPTELTD SMD or Through Hole | A0019E7050AA1.pdf |