창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ8.2D2/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ8.2D2/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ8.2D, 3EZ8.2D2/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 305PSB850K4R | 3µF Film Capacitor 500V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial - 4 Leads 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | 305PSB850K4R.pdf | |
![]() | 02302.25MXSP | FUSE GLASS 2.25A 250VAC 125VDC | 02302.25MXSP.pdf | |
![]() | CMF65590K00FKRE | RES 590K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65590K00FKRE.pdf | |
![]() | V680-HS52-W 12.5M | IP67 HF M22 DIA ANTENNA | V680-HS52-W 12.5M.pdf | |
![]() | MS46SR-14-435-Q1-15X-15R-NC-FP | SYSTEM | MS46SR-14-435-Q1-15X-15R-NC-FP.pdf | |
![]() | C620/100K/K62 | C620/100K/K62 ORIGINAL SMD or Through Hole | C620/100K/K62.pdf | |
![]() | UZ1084L-1.8V(TO-263) | UZ1084L-1.8V(TO-263) UTC SMD or Through Hole | UZ1084L-1.8V(TO-263).pdf | |
![]() | S-80860ANNP-EJQ | S-80860ANNP-EJQ SEIKO SOT-343 | S-80860ANNP-EJQ.pdf | |
![]() | JM38510/12501BGA | JM38510/12501BGA NSC SMD or Through Hole | JM38510/12501BGA.pdf | |
![]() | 33388 | 33388 MURR SMD or Through Hole | 33388.pdf | |
![]() | VJ1812Y102KXFAT4X | VJ1812Y102KXFAT4X VISHAY SMD | VJ1812Y102KXFAT4X.pdf | |
![]() | FU-93Z | FU-93Z KEYENCE SMD or Through Hole | FU-93Z.pdf |