창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.2D5E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ6.2D5E3/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ6.2D5, 3EZ6.2D5E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F26025CDT | 26MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26025CDT.pdf | |
![]() | ASPI-0504-820K-T | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 580mA 600 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0504-820K-T.pdf | |
![]() | BT485KPJ125 | BT485KPJ125 BT PLCC84 | BT485KPJ125.pdf | |
![]() | LV23100T-A-TLM-E | LV23100T-A-TLM-E SANYO TSSOP36 | LV23100T-A-TLM-E.pdf | |
![]() | REG710NA-3.3/250 | REG710NA-3.3/250 TI SOT23-6 | REG710NA-3.3/250.pdf | |
![]() | LOB-30.03R1.0%BLK | LOB-30.03R1.0%BLK INTERNATIONALRESI SMD or Through Hole | LOB-30.03R1.0%BLK.pdf | |
![]() | LCMXO1200C-3MN132C | LCMXO1200C-3MN132C Lattice 132CSBGA | LCMXO1200C-3MN132C.pdf | |
![]() | CLVC257AQPWRG4 | CLVC257AQPWRG4 TI Original | CLVC257AQPWRG4.pdf | |
![]() | MC23-F430J-AC | MC23-F430J-AC XG DIP | MC23-F430J-AC.pdf | |
![]() | 1206 5.6R F | 1206 5.6R F TASUND SMD or Through Hole | 1206 5.6R F.pdf | |
![]() | HS0038AI | HS0038AI ORIGINAL DIP | HS0038AI.pdf | |
![]() | JX2N3494 | JX2N3494 MOT CAN | JX2N3494.pdf |