창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ56D5/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 50옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 42.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ56D5/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ56D, 3EZ56D5/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | IMC1210EBR33J | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 453mA 400 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EBR33J.pdf | |
![]() | CMF5537K900BEEB70 | RES 37.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5537K900BEEB70.pdf | |
![]() | AME8800MFET | AME8800MFET AME SOT89 | AME8800MFET.pdf | |
![]() | 74CHCT245AN | 74CHCT245AN F DIP20 | 74CHCT245AN.pdf | |
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![]() | BLY15A | BLY15A MOT TO-3 | BLY15A.pdf | |
![]() | ICL7650CPD-2 | ICL7650CPD-2 MAX Call | ICL7650CPD-2.pdf | |
![]() | STMP3520XXBANA6N | STMP3520XXBANA6N ORIGINAL BGA | STMP3520XXBANA6N.pdf | |
![]() | HY71VS16163CT-5 | HY71VS16163CT-5 HY TSOP | HY71VS16163CT-5.pdf | |
![]() | ICM202BTC | ICM202BTC ICM LCC | ICM202BTC.pdf | |
![]() | WI322522-820J | WI322522-820J MINGSTAR SMD or Through Hole | WI322522-820J.pdf | |
![]() | DF9-31P-1V | DF9-31P-1V ORIGINAL SMD or Through Hole | DF9-31P-1V.pdf |