창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ5.6D5E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ5.6D5E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ5.6D5E, 3EZ5.6D5E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 06031C821MAT2A | 820pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031C821MAT2A.pdf | |
![]() | A681K15C0GK5UAA | 680pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A681K15C0GK5UAA.pdf | |
![]() | 402F26011CDT | 26MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26011CDT.pdf | |
![]() | CMF5533K600DHEK | RES 33.6K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5533K600DHEK.pdf | |
![]() | RWS2405 | RWS2405 ORIGINAL SMD or Through Hole | RWS2405.pdf | |
![]() | RE5RL57AC | RE5RL57AC Ricoh TO-92 | RE5RL57AC.pdf | |
![]() | AD1937WBSTZRL | AD1937WBSTZRL ADI LQFP64 | AD1937WBSTZRL.pdf | |
![]() | BCM56307B1KEBG-P21 | BCM56307B1KEBG-P21 BROADCOM BGA | BCM56307B1KEBG-P21.pdf | |
![]() | TMS370C712BNT | TMS370C712BNT TI SMD or Through Hole | TMS370C712BNT.pdf | |
![]() | VA-A3216-260MJT | VA-A3216-260MJT CERATECH SMD or Through Hole | VA-A3216-260MJT.pdf | |
![]() | PS2671 | PS2671 NEC DIP | PS2671.pdf | |
![]() | ERJP06J913V | ERJP06J913V PANASONIC SMD | ERJP06J913V.pdf |