창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ5.6D10/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ5.6D10/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ5.6D1, 3EZ5.6D10/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | USW1V100MDD1TE | 10µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | USW1V100MDD1TE.pdf | |
![]() | PE0805JRF7W0R025L | RES SMD 0.025 OHM 5% 1/4W 0805 | PE0805JRF7W0R025L.pdf | |
![]() | Y1745100R000T0R | RES SMD 100OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1745100R000T0R.pdf | |
![]() | TSCSNBN030PDUCV | Pressure Sensor ±30 PSI (±206.84 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0 mV ~ 52.5 mV (5V) 4-SIP, Dual Ports, Same Side | TSCSNBN030PDUCV.pdf | |
![]() | AT-110-2TR | AT-110-2TR M/ACOM SOP8 | AT-110-2TR.pdf | |
![]() | MB15F05PFV1-G-BND-EF | MB15F05PFV1-G-BND-EF FUJ SSOP | MB15F05PFV1-G-BND-EF.pdf | |
![]() | 11437179 | 11437179 Harris SMD or Through Hole | 11437179.pdf | |
![]() | RCPXA260B0C300 | RCPXA260B0C300 INTEL PBGA | RCPXA260B0C300.pdf | |
![]() | R23D20B | R23D20B IR SMD or Through Hole | R23D20B.pdf | |
![]() | MRFIC0915T1G | MRFIC0915T1G ON SMD or Through Hole | MRFIC0915T1G.pdf | |
![]() | 2SC383-M | 2SC383-M TOSHIBA TO-92 | 2SC383-M.pdf |