창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ4.7D5/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ4.7D5/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ4.7D, 3EZ4.7D5/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | FA-238 20.0000MA50X-G3 | 20MHz ±20ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 20.0000MA50X-G3.pdf | |
![]() | CIG21L4R7MNE | 4.7µH Shielded Multilayer Inductor 750mA 260 mOhm 0805 (2012 Metric) | CIG21L4R7MNE.pdf | |
![]() | AISC-0402-11NG-T | 11nH Unshielded Wirewound Inductor 640mA 120 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AISC-0402-11NG-T.pdf | |
![]() | AA1210JR-074R3L | RES SMD 4.3 OHM 5% 1/2W 1210 | AA1210JR-074R3L.pdf | |
![]() | CW0106K000KE12 | RES 6K OHM 13W 10% AXIAL | CW0106K000KE12.pdf | |
![]() | 08Z02 | 08Z02 ORIGINAL SOP8 | 08Z02.pdf | |
![]() | UK3999-A(KN23C1600C-12) | UK3999-A(KN23C1600C-12) SAMSUNG DIP | UK3999-A(KN23C1600C-12).pdf | |
![]() | TL032ACPE4 | TL032ACPE4 TI DIP8 | TL032ACPE4.pdf | |
![]() | ECR1CPT222MFM | ECR1CPT222MFM ORIGINAL SMD or Through Hole | ECR1CPT222MFM.pdf | |
![]() | 7A06N-681K-RB | 7A06N-681K-RB SAGAMI SMD or Through Hole | 7A06N-681K-RB.pdf | |
![]() | CEM9926-SM | CEM9926-SM CEM SOP | CEM9926-SM.pdf | |
![]() | IRFI9Z30N | IRFI9Z30N IR/ST// TO-220F | IRFI9Z30N.pdf |