창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ4.3D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ4.3D10/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ4.3D, 3EZ4.3D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RG3216N-1202-B-T5 | RES SMD 12K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-1202-B-T5.pdf | |
![]() | CT-L51DT81-IM-AA | CT-L51DT81-IM-AA CENTILLIUM QFP128 | CT-L51DT81-IM-AA.pdf | |
![]() | 1210 5% 3.3R | 1210 5% 3.3R SUPEROHM SMD or Through Hole | 1210 5% 3.3R.pdf | |
![]() | M5M442256AJ-8/7(DRAM 256K4) | M5M442256AJ-8/7(DRAM 256K4) NS NULL | M5M442256AJ-8/7(DRAM 256K4).pdf | |
![]() | UUJ1A472MNR | UUJ1A472MNR NICHICON SMD | UUJ1A472MNR.pdf | |
![]() | BR93H76RFJ-WE2 | BR93H76RFJ-WE2 ROHM SOP-J8-CG | BR93H76RFJ-WE2.pdf | |
![]() | MTZJ5.6A | MTZJ5.6A ROHM DO-34 | MTZJ5.6A.pdf | |
![]() | USB-SIO-ISP | USB-SIO-ISP ABOV SMD or Through Hole | USB-SIO-ISP.pdf | |
![]() | SI2302ADS-T1-E TEL:82766440 | SI2302ADS-T1-E TEL:82766440 VISHAY SMD or Through Hole | SI2302ADS-T1-E TEL:82766440.pdf | |
![]() | TPSD227M016R0400 | TPSD227M016R0400 AVX 7343D | TPSD227M016R0400.pdf | |
![]() | MCH215A050CK | MCH215A050CK ROH RES | MCH215A050CK.pdf |