창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ4.3D/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ4.3D/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ4.3D, 3EZ4.3D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | AOCJY1-12.800MHZ-E-SW | 12.8MHz Sine Wave OCXO Oscillator Through Hole 3.3V | AOCJY1-12.800MHZ-E-SW.pdf | |
![]() | MBR20100CTE3/TU | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-220AB | MBR20100CTE3/TU.pdf | |
![]() | BZX79C6V2_T50R | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | BZX79C6V2_T50R.pdf | |
![]() | ERA-3AEB1272V | RES SMD 12.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB1272V.pdf | |
![]() | P3.5\P4\P5\P6\P7.62\P8\P10\P12\P16 | P3.5\P4\P5\P6\P7.62\P8\P10\P12\P16 ORIGINAL SMD or Through Hole | P3.5\P4\P5\P6\P7.62\P8\P10\P12\P16.pdf | |
![]() | TLC5925I | TLC5925I TI SOP24 | TLC5925I.pdf | |
![]() | CAT5115VI-10-G | CAT5115VI-10-G Catalyst SOP8 | CAT5115VI-10-G.pdf | |
![]() | HY62256BLP-55 | HY62256BLP-55 HYUNDAI DIP28 | HY62256BLP-55.pdf | |
![]() | MAX4073TESA | MAX4073TESA MAX SMD or Through Hole | MAX4073TESA.pdf | |
![]() | T540A | T540A TI SSOP20 | T540A.pdf | |
![]() | RM4156DB | RM4156DB RAY DIP | RM4156DB.pdf | |
![]() | HZK2BTR-E 2V | HZK2BTR-E 2V RENESAS LL34 | HZK2BTR-E 2V.pdf |