창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ3.9D/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 80µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ3.9D/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ3.9D, 3EZ3.9D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445C35E13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35E13M00000.pdf | |
![]() | IHLP6767DZERR33M01 | 330nH Shielded Molded Inductor 56A 1.28 mOhm Max Nonstandard | IHLP6767DZERR33M01.pdf | |
![]() | MC-SFBH-20 | PROTECT BAR FOR 20 BEAM CHANNELS | MC-SFBH-20.pdf | |
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![]() | M56V1610D-10 | M56V1610D-10 OKI TSSOP | M56V1610D-10.pdf | |
![]() | XC5VFX70T-3FFG1136CE | XC5VFX70T-3FFG1136CE ORIGINAL SMD or Through Hole | XC5VFX70T-3FFG1136CE.pdf | |
![]() | SP6661EU-L | SP6661EU-L SIPEX MSOP-8 | SP6661EU-L.pdf | |
![]() | BJT A50L-1-0175 120A | BJT A50L-1-0175 120A TOSHIBA SMD or Through Hole | BJT A50L-1-0175 120A.pdf | |
![]() | FP5026 | FP5026 FITIPOWE SOP | FP5026.pdf | |
![]() | MAX4208AUA+ | MAX4208AUA+ Maxim SMD or Through Hole | MAX4208AUA+.pdf | |
![]() | RF5401RFMD | RF5401RFMD RF BGA | RF5401RFMD.pdf |