창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ22D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 16.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ22D10/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ22D1, 3EZ22D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
ECS-330-12-33Q-JES-TR | 33MHz ±20ppm 수정 12pF 40옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-330-12-33Q-JES-TR.pdf | ||
A819C3D | A819C3D ANIGO QFP-100 | A819C3D.pdf | ||
LP2985AIM-3.3 | LP2985AIM-3.3 NSC SOT23-5 | LP2985AIM-3.3.pdf | ||
70G6630 | 70G6630 AMD PLCC | 70G6630.pdf | ||
HD5022IB | HD5022IB HITCHIA SMD or Through Hole | HD5022IB.pdf | ||
PM20CEG060 | PM20CEG060 MITSUBIS NA | PM20CEG060.pdf | ||
RA4L-4.5W-K | RA4L-4.5W-K ORIGINAL DIP-SOP | RA4L-4.5W-K.pdf | ||
0603HC-3N6XGLW | 0603HC-3N6XGLW COILCRAFT SMD or Through Hole | 0603HC-3N6XGLW.pdf | ||
LDS8846003T2(RT9360) | LDS8846003T2(RT9360) LEADIS QFN | LDS8846003T2(RT9360).pdf | ||
2SC5511. | 2SC5511. MAT TO-220F | 2SC5511..pdf | ||
MCP665 | MCP665 MICROCHIPIC 10DFN10MSOP | MCP665.pdf | ||
2SC2412K Q | 2SC2412K Q ROHM SOT-23 | 2SC2412K Q.pdf |