창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ20D5/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ20D5/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ20D5, 3EZ20D5/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C184M4RACTU | 0.18µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C184M4RACTU.pdf | |
![]() | 416F27012AKT | 27MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27012AKT.pdf | |
![]() | GA1A3Q-T1 | GA1A3Q-T1 NEC SMD or Through Hole | GA1A3Q-T1.pdf | |
![]() | 0805-R10J | 0805-R10J XYT SMD or Through Hole | 0805-R10J.pdf | |
![]() | 89898-314LF | 89898-314LF FCI SMD or Through Hole | 89898-314LF.pdf | |
![]() | GT215 | GT215 NVIDIA BGA | GT215.pdf | |
![]() | LT4002ES-8-8.4 | LT4002ES-8-8.4 LT SOP | LT4002ES-8-8.4.pdf | |
![]() | R8A02021ABGV | R8A02021ABGV RENESAS BGA | R8A02021ABGV.pdf | |
![]() | APC77150 | APC77150 ORIGINAL DIP32P | APC77150.pdf | |
![]() | ZC0061L | ZC0061L MOT CDIP40 | ZC0061L.pdf |