창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ200DE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 875옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ200DE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ200DE, 3EZ200DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S6S3RP | SCR SENS GATE 600V 0.8A SMT | S6S3RP.pdf | |
![]() | KBU600G | KBU600G GS/FAIRCHILD/ SMD or Through Hole | KBU600G.pdf | |
![]() | RD3.9S-T1 | RD3.9S-T1 NEC SOD323 | RD3.9S-T1.pdf | |
![]() | UPD65042L | UPD65042L NEC PLCC-68 | UPD65042L.pdf | |
![]() | 4102F | 4102F NO SMD or Through Hole | 4102F.pdf | |
![]() | BT258-600R,BT258-800R | BT258-600R,BT258-800R PHILIPS SMD or Through Hole | BT258-600R,BT258-800R.pdf | |
![]() | 0805P020TFA | 0805P020TFA POLYFUSE SMD or Through Hole | 0805P020TFA.pdf | |
![]() | W83877ATG | W83877ATG WINBON QFP | W83877ATG.pdf | |
![]() | S-80C52WAB-12 | S-80C52WAB-12 MHS 27PCS.PLCC | S-80C52WAB-12.pdf | |
![]() | K7A163600A-PI25 | K7A163600A-PI25 SAMSUNG TQFP | K7A163600A-PI25.pdf |