창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ19DE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ19DE3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ19DE, 3EZ19DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | SD20-1R2-R | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 3.07A 27.5 mOhm Nonstandard | SD20-1R2-R.pdf | |
![]() | DEA1X3F101JA3B-MUR | DEA1X3F101JA3B-MUR UNKNOWN SMD or Through Hole | DEA1X3F101JA3B-MUR.pdf | |
![]() | MT9VDDT3272G26AC3/MT46V32M8 | MT9VDDT3272G26AC3/MT46V32M8 MTC DIMM | MT9VDDT3272G26AC3/MT46V32M8.pdf | |
![]() | PSB 80170(V1.1) | PSB 80170(V1.1) Infineon LBGA | PSB 80170(V1.1).pdf | |
![]() | XS170CP | XS170CP CPLARE SOP8 | XS170CP.pdf | |
![]() | ADM3485EARSZ | ADM3485EARSZ ADI SOP-8 | ADM3485EARSZ.pdf | |
![]() | Mini-circuits | Mini-circuits N/A PLP2.5 | Mini-circuits.pdf | |
![]() | STA51B+ | STA51B+ ORIGINAL SOP | STA51B+.pdf | |
![]() | TL4810BIDWR | TL4810BIDWR TI SOP | TL4810BIDWR.pdf | |
![]() | A0901J | A0901J AVAGO SOP16 | A0901J.pdf |