창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ180D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 700옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 136.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ180D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ180D10, 3EZ180D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F38035CDR | 38MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38035CDR.pdf | |
![]() | AT0805DRE07174RL | RES SMD 174 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE07174RL.pdf | |
![]() | RN73C1J127RBTG | RES SMD 127 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J127RBTG.pdf | |
![]() | CW01021R50KE123 | RES 21.5 OHM 13W 10% AXIAL | CW01021R50KE123.pdf | |
![]() | PPT0100DXX5VB | Pressure Sensor ±100 PSI (±689.48 kPa) Differential Female - 1/8" (3.18mm) Swagelok™, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0100DXX5VB.pdf | |
![]() | ISL2111AR4Z | ISL2111AR4Z Intersil SMD or Through Hole | ISL2111AR4Z.pdf | |
![]() | WF512K32N-90H1M5A | WF512K32N-90H1M5A ORIGINAL SMD or Through Hole | WF512K32N-90H1M5A.pdf | |
![]() | A1-2420-8 | A1-2420-8 ORIGINAL DIP | A1-2420-8.pdf | |
![]() | C4532CH2A683J | C4532CH2A683J TDK SMD or Through Hole | C4532CH2A683J.pdf | |
![]() | CND2B10VTE104J(100k) | CND2B10VTE104J(100k) KOA 1206X5 | CND2B10VTE104J(100k).pdf | |
![]() | GRB213B03BB | GRB213B03BB CWIndustries SWITCHROCKERDPDT6 | GRB213B03BB.pdf | |
![]() | LL-502VD2E-V1-2B | LL-502VD2E-V1-2B Luckylight DIP | LL-502VD2E-V1-2B.pdf |