창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ15D2/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 11.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ15D2/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ15D, 3EZ15D2/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1812AA561KAT3A | 560pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812AA561KAT3A.pdf | |
![]() | SIT9001AI-44-33E1-100.00000Y | OSC XO 3.3V 100MHZ OE 1.0% | SIT9001AI-44-33E1-100.00000Y.pdf | |
![]() | SRU5018-3R3Y | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard | SRU5018-3R3Y.pdf | |
![]() | ERJ-S08F4873V | RES SMD 487K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F4873V.pdf | |
![]() | 2CL2/3 | 2CL2/3 ORIGINAL 100 20 30 | 2CL2/3.pdf | |
![]() | MC34151DR | MC34151DR ON SOP8 | MC34151DR.pdf | |
![]() | HYD0SFE0AF1P-6SH0E | HYD0SFE0AF1P-6SH0E HYNIX SMD or Through Hole | HYD0SFE0AF1P-6SH0E.pdf | |
![]() | 464373009 | 464373009 Molex SMD or Through Hole | 464373009.pdf | |
![]() | LD1086D2M25 | LD1086D2M25 ST SMD or Through Hole | LD1086D2M25.pdf | |
![]() | CM431R-BN | CM431R-BN ORIGINAL SOT-23 | CM431R-BN.pdf | |
![]() | PA802T-FB | PA802T-FB Nec SOT-363 | PA802T-FB.pdf | |
![]() | XC4003A-4VQ100C | XC4003A-4VQ100C XILINX QFP | XC4003A-4VQ100C.pdf |