창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ11D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ11D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ11D10E, 3EZ11D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CL21C5R6CBANNNC | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C5R6CBANNNC.pdf | |
![]() | MKP385368063JC02Z0 | 0.068µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP385368063JC02Z0.pdf | |
![]() | z66d | z66d ORIGINAL BGA | z66d.pdf | |
![]() | K6R1016V1D-UI1O | K6R1016V1D-UI1O SAMSUNG TSOP | K6R1016V1D-UI1O.pdf | |
![]() | E12/E14/E17/E27/E27+S | E12/E14/E17/E27/E27+S saving SMD or Through Hole | E12/E14/E17/E27/E27+S.pdf | |
![]() | BZX851C12 | BZX851C12 ORIGINAL SMD or Through Hole | BZX851C12.pdf | |
![]() | MHD7610DDC03T001 | MHD7610DDC03T001 TDK SMD or Through Hole | MHD7610DDC03T001.pdf | |
![]() | SSL20C-7624J | SSL20C-7624J Artesyn SMD or Through Hole | SSL20C-7624J.pdf | |
![]() | NQ6702PXH SL7X4 | NQ6702PXH SL7X4 INTEL BGA | NQ6702PXH SL7X4.pdf | |
![]() | G6C-1117P- - FD-US-24V | G6C-1117P- - FD-US-24V OMRON SMD or Through Hole | G6C-1117P- - FD-US-24V.pdf | |
![]() | RKV502KK | RKV502KK RENESAS SOD323 | RKV502KK.pdf | |
![]() | ESQT-104-03-F-D-325 | ESQT-104-03-F-D-325 SAMTEC SMD or Through Hole | ESQT-104-03-F-D-325.pdf |