창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ110D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 225옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 83.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ110D10/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ110D, 3EZ110D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 407F39E007M3728 | 7.3728MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407F39E007M3728.pdf | |
![]() | RNF18FTD3R48 | RES 3.48 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD3R48.pdf | |
![]() | S1A0426C02-S | S1A0426C02-S SAMSUNG SOP28 | S1A0426C02-S.pdf | |
![]() | FH25-33 | FH25-33 HRS SMD or Through Hole | FH25-33.pdf | |
![]() | AMS1585 | AMS1585 AMS SMD | AMS1585.pdf | |
![]() | 2863-120 | 2863-120 IR SMD or Through Hole | 2863-120.pdf | |
![]() | D6451GT-628 | D6451GT-628 NEC SMD or Through Hole | D6451GT-628.pdf | |
![]() | 0603 60.OHM | 0603 60.OHM ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 60.OHM.pdf | |
![]() | R8J73482BGV | R8J73482BGV RENESAS BGA | R8J73482BGV.pdf | |
![]() | LTC6905HS5-80 TEL:82766440 | LTC6905HS5-80 TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LTC6905HS5-80 TEL:82766440.pdf | |
![]() | M58BW16FB4ZA3F/M58BW16FB4ZA3T | M58BW16FB4ZA3F/M58BW16FB4ZA3T MICRON LBGA-80 | M58BW16FB4ZA3F/M58BW16FB4ZA3T.pdf |