창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ110D/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 225옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 83.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ110D/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ110, 3EZ110D/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
CDV30FK182FO3 | MICA | CDV30FK182FO3.pdf | ||
445W33H25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33H25M00000.pdf | ||
MLG0402Q5N1HT000 | 5.1nH Unshielded Multilayer Inductor 160mA 1.4 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q5N1HT000.pdf | ||
370FW03-R1 | 370FW03-R1 HONEYWELL SMD or Through Hole | 370FW03-R1.pdf | ||
SR10150CT | SR10150CT JF TO-220AB | SR10150CT.pdf | ||
3713B | 3713B ORIGINAL SOT-223 | 3713B.pdf | ||
MT6L69FS | MT6L69FS TOSHIBA SOT463 | MT6L69FS.pdf | ||
IRFZ24BPF | IRFZ24BPF IR SMD or Through Hole | IRFZ24BPF.pdf | ||
CT50J324 | CT50J324 ORIGINAL SMD or Through Hole | CT50J324.pdf | ||
1206 220R | 1206 220R TASUND SMD or Through Hole | 1206 220R.pdf | ||
V53C16258LT50/HT40/HT35/SILT50 | V53C16258LT50/HT40/HT35/SILT50 MEMORY SMD | V53C16258LT50/HT40/HT35/SILT50.pdf | ||
0604-0043-316 | 0604-0043-316 ORIGINAL ROHS | 0604-0043-316.pdf |