창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ10D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 7.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ10D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ10D10E, 3EZ10D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | 416F52022ATT | 52MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52022ATT.pdf | |
![]() | RD43M-T1 | RD43M-T1 NEC SMD or Through Hole | RD43M-T1.pdf | |
![]() | VJ54FCT844ADS | VJ54FCT844ADS VTC CDIP | VJ54FCT844ADS.pdf | |
![]() | M2012ES1W03-RO | M2012ES1W03-RO NKKSWITCHES MSeriesMiniSPDTO | M2012ES1W03-RO.pdf | |
![]() | CTS767161152G | CTS767161152G STOCK SOP | CTS767161152G.pdf | |
![]() | PCF7942AT/011 | PCF7942AT/011 PHI SOP-3.9-16P | PCF7942AT/011.pdf | |
![]() | MC-7726G | MC-7726G NEC SMD or Through Hole | MC-7726G.pdf | |
![]() | YNS12S100-G | YNS12S100-G PowerOne SMD or Through Hole | YNS12S100-G.pdf | |
![]() | LCN1008T-10NJ-N | LCN1008T-10NJ-N YAGEO SMD | LCN1008T-10NJ-N.pdf | |
![]() | AM9130CDC | AM9130CDC ORIGINAL AMD | AM9130CDC.pdf | |
![]() | 2N7002DWT1R | 2N7002DWT1R ON/LRC SOD-323 | 2N7002DWT1R.pdf |