창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-35V220-HEIY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 35V220-HEIY | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 35V220-HEIY | |
| 관련 링크 | 35V220, 35V220-HEIY 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | T496D107K010BH61107505 | 100µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T496D107K010BH61107505.pdf | |
![]() | ABM3C-24.000MHZ-B-4-Y-T | 24MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3C-24.000MHZ-B-4-Y-T.pdf | |
![]() | STD3PK50Z | MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK | STD3PK50Z.pdf | |
![]() | IRLR014TRL | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | IRLR014TRL.pdf | |
![]() | NRS3015T6R8MNGHV | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 880mA 192 mOhm Max Nonstandard | NRS3015T6R8MNGHV.pdf | |
![]() | MSM6654A-602GS-KR1 | MSM6654A-602GS-KR1 ORIGINAL SOP | MSM6654A-602GS-KR1.pdf | |
![]() | VTS212A | VTS212A VLSI QFP | VTS212A.pdf | |
![]() | XCV100E-PQ240AFS | XCV100E-PQ240AFS XILINX QFP240 | XCV100E-PQ240AFS.pdf | |
![]() | N20/23 | N20/23 DIODES SOT-23 | N20/23.pdf | |
![]() | QSMR-C181 | QSMR-C181 AGILENT SMD or Through Hole | QSMR-C181.pdf | |
![]() | 22-05-3051 | 22-05-3051 MOLEX N A | 22-05-3051.pdf | |
![]() | DNF14-250FIB-C | DNF14-250FIB-C PDT SMD or Through Hole | DNF14-250FIB-C.pdf |