창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-35JGV10M5X6.1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 35JGV10M5X6.1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 35JGV10M5X6.1 | |
| 관련 링크 | 35JGV10, 35JGV10M5X6.1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R1DXAAP | 1.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R1DXAAP.pdf | |
![]() | 04023J0R2PBSTR | 0.20pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J0R2PBSTR.pdf | |
![]() | SMBG28A-M3/52 | TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO-215AA | SMBG28A-M3/52.pdf | |
![]() | 416F26022IDT | 26MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022IDT.pdf | |
![]() | DFE252010P-R47M=P2 | 470nH Shielded Wirewound Inductor 5A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252010P-R47M=P2.pdf | |
![]() | TAS-623N-V-T/R | TAS-623N-V-T/R DIPTRONICSMANUFAC SMD or Through Hole | TAS-623N-V-T/R.pdf | |
![]() | TS5205CX550RF | TS5205CX550RF TSC SOT23-5 | TS5205CX550RF.pdf | |
![]() | GDZJ13B-35 T/B | GDZJ13B-35 T/B PANJIT SMD or Through Hole | GDZJ13B-35 T/B.pdf | |
![]() | 219-0028-A | 219-0028-A ORIGINAL BGA | 219-0028-A.pdf | |
![]() | G692L293TC(GMT940106-2) | G692L293TC(GMT940106-2) GMT SOT-143 | G692L293TC(GMT940106-2).pdf | |
![]() | LMZ14202HTZ/NOPB | LMZ14202HTZ/NOPB NationalSemiconductor SMD or Through Hole | LMZ14202HTZ/NOPB.pdf | |
![]() | UPD75328GC-105 | UPD75328GC-105 NEC QFP | UPD75328GC-105.pdf |