창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2W/10R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 2W/10R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 2W/10R | |
| 관련 링크 | 2W/, 2W/10R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CC1206GRNPO9BN100 | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206GRNPO9BN100.pdf | |
![]() | C0603T104K3RALTU | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603T104K3RALTU.pdf | |
![]() | GRM0335C1E2R7CD01D | 2.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E2R7CD01D.pdf | |
![]() | MLG0402Q3N4ST000 | 3.4nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.1 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q3N4ST000.pdf | |
![]() | AF82801JB QS29ES | AF82801JB QS29ES INTEL BGA | AF82801JB QS29ES.pdf | |
![]() | CFUKG455KF4X-R0 | CFUKG455KF4X-R0 MURATA SMD | CFUKG455KF4X-R0.pdf | |
![]() | BZX84-B2V4 | BZX84-B2V4 PHI SOT-23 | BZX84-B2V4.pdf | |
![]() | TC7F00U | TC7F00U TOSHIBA NOTE 4K416D200-02 | TC7F00U.pdf | |
![]() | NTD5N50-001 | NTD5N50-001 ONSemiconductor SMD or Through Hole | NTD5N50-001.pdf | |
![]() | AJ-0824 | AJ-0824 PANASONIC STOCK | AJ-0824.pdf | |
![]() | MSRA-240505 | MSRA-240505 CTC SIP | MSRA-240505.pdf |