Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-GR(TE85L,F)
- 제조업체 부품 번호
- 2SK879-GR(TE85L,F)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 접합형 전계 효과(JFET)
- 간단한 설명
- JFET N-CH 0.1W USM
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11550 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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2SK879-GR(TE85L,F) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2SK879-GR(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SK879 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N채널 | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 2.6mA @ 10V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 400mV @ 100nA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8.2pF @ 10V | |
| 저항 - RDS(On) | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | USM | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2SK879-GR (TE85L,F) 2SK879-GR(TE85LF)TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SK879-GR(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | 2SK879-GR(, 2SK879-GR(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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