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Renesas Electronics America 2SK4150TZ-E

2SK4150TZ-E
제조업체 부품 번호
2SK4150TZ-E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
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2SK4150TZ-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SK4150TZ-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SK4150TZ-E
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)250V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C400mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.7옴 @ 200mA, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs3.7nC(4V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds80pF @ 25V
전력 - 최대750mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA)
공급 장치 패키지TO-92
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SK4150TZ-E
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