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ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E
제조업체 부품 번호
2SK3666-2-TB-E
제조업 자
제품 카테고리
접합형 전계 효과(JFET)
간단한 설명
JFET N-CH 10MA 200MW CP
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내부 부품 번호EIS-2SK3666-2-TB-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SK3666
종류이산 소자 반도체 제품
제품군접합형 전계 효과(JFET)
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N채널
전압 - 항복(V(BR)GSS)-
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0)600µA @ 10V
전류 드레인(Id) - 최대10mA
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id180mV @ 1µA
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4pF @ 10V
저항 - RDS(On)200옴
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지3-CP
전력 - 최대200mW
표준 포장 3,000
다른 이름2SK3666-2-TB-E-ND
2SK3666-2-TB-EOSTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2SK3666-2-TB-E
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