창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SK3019TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SK3019 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 10mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2SK3019TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SK3019TL | |
| 관련 링크 | 2SK30, 2SK3019TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C125M9RACTU | 1.2µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C125M9RACTU.pdf | |
![]() | RT0805WRC07150RL | RES SMD 150 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC07150RL.pdf | |
![]() | Y078650R0000V9L | RES 50 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y078650R0000V9L.pdf | |
![]() | EI16C450-CQ-44 | EI16C450-CQ-44 EPIC QFP | EI16C450-CQ-44.pdf | |
![]() | UPA1970TE-TI | UPA1970TE-TI NEC SOT-163 | UPA1970TE-TI.pdf | |
![]() | 22205C105KATN | 22205C105KATN AVX SMD or Through Hole | 22205C105KATN.pdf | |
![]() | EPM570M256C | EPM570M256C ALTRA BGA | EPM570M256C.pdf | |
![]() | FI-XB30SL-HF10 | FI-XB30SL-HF10 JAE SMD | FI-XB30SL-HF10.pdf | |
![]() | MC-5642 | MC-5642 YEW SMD or Through Hole | MC-5642.pdf | |
![]() | MAX8212MTV/883 | MAX8212MTV/883 MAXIM CAN8 | MAX8212MTV/883.pdf | |
![]() | 884-117-5V | 884-117-5V ELFEIN SIP4 | 884-117-5V.pdf | |
![]() | PC02003E | PC02003E MIT TQFP100 | PC02003E.pdf |