창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SK3019TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SK3019 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 10mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2SK3019TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SK3019TL | |
| 관련 링크 | 2SK30, 2SK3019TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | UEP0J330MDD | 33µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UEP0J330MDD.pdf | |
![]() | VJ0402D2R2CLCAP | 2.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2CLCAP.pdf | |
![]() | PRG3216P-1800-D-T5 | RES SMD 180 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-1800-D-T5.pdf | |
![]() | RG3216V-1620-B-T5 | RES SMD 162 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-1620-B-T5.pdf | |
![]() | TS5A4624DCKRE4 | TS5A4624DCKRE4 TI SC70-6 | TS5A4624DCKRE4.pdf | |
![]() | MB90F562 B | MB90F562 B FUJ QFP | MB90F562 B.pdf | |
![]() | V20810 | V20810 TI QFP | V20810.pdf | |
![]() | 06032R102K9B20D | 06032R102K9B20D YAGEO SMD | 06032R102K9B20D.pdf | |
![]() | S-80848CLUA-B69-T2 | S-80848CLUA-B69-T2 SEIKO SOT89 | S-80848CLUA-B69-T2.pdf | |
![]() | AD587AN | AD587AN ORIGINAL SMD or Through Hole | AD587AN.pdf | |
![]() | H11C6.300W | H11C6.300W FAIRCHILD DIP-6 | H11C6.300W.pdf |