창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SK2231(TE16R1,NQ) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Mosfets Prod Guide 2SK2231 | |
카탈로그 페이지 | 1648 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 370pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 20W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PW-MOLD | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 2SK2231 (TE16R1,NQ) 2SK2231TE16R1NQ 2SK2231TE16RQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SK2231(TE16R1,NQ) | |
관련 링크 | 2SK2231(TE, 2SK2231(TE16R1,NQ) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
TMK063CK0R5DPGF | 0.50pF 25V 세라믹 커패시터 C0K 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | TMK063CK0R5DPGF.pdf | ||
3386B-1-105 | 1M Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386B-1-105.pdf | ||
TNPW2010113RBEEF | RES SMD 113 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010113RBEEF.pdf | ||
NBPDPNS160MGUNV | Pressure Sensor 2.32 PSI (16 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 75.5 mV (5V) 4-DIP (0.453", 11.50mm), Top Port | NBPDPNS160MGUNV.pdf | ||
961066-001 | 961066-001 ORIGINAL DIP | 961066-001.pdf | ||
KADC | KADC ORIGINAL 4 SOT-143 | KADC.pdf | ||
2N1870A | 2N1870A MOT CAN | 2N1870A.pdf | ||
25829-18 | 25829-18 CONEXANT QFP | 25829-18.pdf | ||
W9310F | W9310F WINBOND QFP | W9310F.pdf | ||
10K(1002)±1%0805 | 10K(1002)±1%0805 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10K(1002)±1%0805.pdf | ||
ICS844251BG-14LFT | ICS844251BG-14LFT IDT 8TSSOP(LEAD-FREE) | ICS844251BG-14LFT.pdf | ||
HM0000796 | HM0000796 BI XFMR | HM0000796.pdf |