Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF

2SK2009TE85LF
제조업체 부품 번호
2SK2009TE85LF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
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내부 부품 번호EIS-2SK2009TE85LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SK2009
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2옴 @ 50MA, 2.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds70pF @ 3V
전력 - 최대200mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SC-59-3
표준 포장 3,000
다른 이름2SK2009 (TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009TE85LFTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2SK2009TE85LF
관련 링크2SK2009, 2SK2009TE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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