창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SK1058-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SK1056/7/8 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 160V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SK1058-E | |
| 관련 링크 | 2SK10, 2SK1058-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | MHQ1005P3N4ST000 | 3.4nH Unshielded Multilayer Inductor 900mA 90 mOhm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P3N4ST000.pdf | |
![]() | CAT1117R50 | CAT1117R50 CAT PBFREE | CAT1117R50.pdf | |
![]() | 2N3091 | 2N3091 IR STUD | 2N3091.pdf | |
![]() | K2850-01 | K2850-01 FUJI TO-3P | K2850-01.pdf | |
![]() | MC82C765B PL | MC82C765B PL GOIDSTAR PLCC | MC82C765B PL.pdf | |
![]() | TL431ACDBZR-235 | TL431ACDBZR-235 NXP SOT23-3 | TL431ACDBZR-235.pdf | |
![]() | KBR800F17 | KBR800F17 KYOCERA SMD or Through Hole | KBR800F17.pdf | |
![]() | 030006FR007H409ZL | 030006FR007H409ZL SUYIN SMD or Through Hole | 030006FR007H409ZL.pdf | |
![]() | KM44C1000CJ-7/BJ-7 | KM44C1000CJ-7/BJ-7 ORIGINAL SOP | KM44C1000CJ-7/BJ-7.pdf | |
![]() | 10075024-G01-10ULF | 10075024-G01-10ULF FCI SMD or Through Hole | 10075024-G01-10ULF.pdf | |
![]() | 683K63J01L4 | 683K63J01L4 KEMET SMD or Through Hole | 683K63J01L4.pdf |