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ON Semiconductor 2SJ661-1E

2SJ661-1E
제조업체 부품 번호
2SJ661-1E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 60V 38A
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내부 부품 번호EIS-2SJ661-1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SJ661
PCN 조립/원산지Frabrication Site Change 27/Aug/2014
Wafer Fab Transfer 12/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C38A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs39m옴 @ 19A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs80nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4360pF @ 20V
전력 - 최대1.65W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지TO-262-3
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SJ661-1E
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