창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SD2096T114E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SD2096 | |
| 카탈로그 페이지 | 1640 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 8MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | HRT | |
| 공급 장치 패키지 | HRT | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 2SD2096T114ECT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SD2096T114E | |
| 관련 링크 | 2SD2096, 2SD2096T114E 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0336R1E5R2CD01D | 5.2pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E5R2CD01D.pdf | |
![]() | G6JU-2P-Y DC9 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6JU-2P-Y DC9.pdf | |
![]() | RT0805CRB0723R2L | RES SMD 23.2 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB0723R2L.pdf | |
![]() | PAT0603E3570BST1 | RES SMD 357 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E3570BST1.pdf | |
![]() | SGM2007-2.7XN5/TR TEL:82766440 | SGM2007-2.7XN5/TR TEL:82766440 SGM SMD or Through Hole | SGM2007-2.7XN5/TR TEL:82766440.pdf | |
![]() | LSR106 | LSR106 TSC SMD or Through Hole | LSR106.pdf | |
![]() | MT46H64M16LFCK-6N | MT46H64M16LFCK-6N MICRON FBGA | MT46H64M16LFCK-6N.pdf | |
![]() | IDT6V50006PGG8 | IDT6V50006PGG8 IDT SMD or Through Hole | IDT6V50006PGG8.pdf | |
![]() | TEMSVC21A476M12R-47UF-10V | TEMSVC21A476M12R-47UF-10V NEC C | TEMSVC21A476M12R-47UF-10V.pdf | |
![]() | TFK10546 | TFK10546 TFK NA | TFK10546.pdf | |
![]() | LQH1C2R2M04M00 | LQH1C2R2M04M00 MURATA SMD | LQH1C2R2M04M00.pdf |