창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SD1253A-P(DS)(TX) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 2SD1253A-P(DS)(TX) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-263 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 2SD1253A-P(DS)(TX) | |
| 관련 링크 | 2SD1253A-P, 2SD1253A-P(DS)(TX) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ATS20ASM-1 | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS20ASM-1.pdf | |
![]() | HK10053N6S-TV | 3.6nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | HK10053N6S-TV.pdf | |
![]() | NLCV32T-6R8M-PFD | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 530mA 351 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLCV32T-6R8M-PFD.pdf | |
![]() | YR1B32R4CC | RES 32.4 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B32R4CC.pdf | |
![]() | HT1MOA2S30/E/3 | HT1MOA2S30/E/3 NXP SMD or Through Hole | HT1MOA2S30/E/3.pdf | |
![]() | K4M513233E-EL1H | K4M513233E-EL1H SAMSUNG BGA | K4M513233E-EL1H.pdf | |
![]() | S-812C36AUA-C2Q-T2G | S-812C36AUA-C2Q-T2G SEIKO SOT-89 | S-812C36AUA-C2Q-T2G.pdf | |
![]() | 32R6476 ESD | 32R6476 ESD IBM BGA | 32R6476 ESD.pdf | |
![]() | BC846B.215 | BC846B.215 NXP na | BC846B.215.pdf | |
![]() | LF1005-S/SP12 | LF1005-S/SP12 LEM SMD or Through Hole | LF1005-S/SP12.pdf | |
![]() | 73F103AF-RC | 73F103AF-RC bourns DIP | 73F103AF-RC.pdf | |
![]() | LIA3457 | LIA3457 muRata NULL | LIA3457.pdf |