창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SD1012G-SPA-AC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SD1012 | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 21/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 700mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 15V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 80mV @ 10mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 280 @ 50mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 3-SIP | |
| 공급 장치 패키지 | 3-SPA | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SD1012G-SPA-AC | |
| 관련 링크 | 2SD1012G-, 2SD1012G-SPA-AC 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 103R-471G | 470nH Unshielded Inductor 610mA 260 mOhm Max 2-SMD | 103R-471G.pdf | |
![]() | AC0402JR-07750RL | RES SMD 750 OHM 5% 1/16W 0402 | AC0402JR-07750RL.pdf | |
![]() | RT2010DKE07909KL | RES SMD 909K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE07909KL.pdf | |
![]() | MBB02070C4228FCT00 | RES 4.22 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C4228FCT00.pdf | |
![]() | LT1490AIDD(LAAH) | LT1490AIDD(LAAH) LINEAR QFN | LT1490AIDD(LAAH).pdf | |
![]() | MH89625C | MH89625C ORIGINAL SMD or Through Hole | MH89625C.pdf | |
![]() | HD74LS390FP-E2 | HD74LS390FP-E2 HITACHI SMD or Through Hole | HD74LS390FP-E2.pdf | |
![]() | SCDS125T-820M-N | SCDS125T-820M-N CHILISIN NA | SCDS125T-820M-N.pdf | |
![]() | CGA3E2X8R1H103K | CGA3E2X8R1H103K TDK SMD | CGA3E2X8R1H103K.pdf | |
![]() | 1330-036J 8036-4R7 | 1330-036J 8036-4R7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1330-036J 8036-4R7.pdf | |
![]() | 16C717-I/P | 16C717-I/P MICROCHIP SMD or Through Hole | 16C717-I/P.pdf | |
![]() | VSF3682BDSB | VSF3682BDSB TOSHIBA BGA | VSF3682BDSB.pdf |