창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SC5876T106R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SC5876 | |
| 카탈로그 페이지 | 1639 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 300MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | UMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2SC5876T106RTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SC5876T106R | |
| 관련 링크 | 2SC5876, 2SC5876T106R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | K102M15X7RH53H5 | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K102M15X7RH53H5.pdf | |
![]() | VJ0402D2R2BXAAP | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2BXAAP.pdf | |
![]() | 1825CC393KAT1A | 0.039µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825CC393KAT1A.pdf | |
![]() | MLL4627 | MLL4627 ON/ST/VIS SMD DIP | MLL4627.pdf | |
![]() | 7AA | 7AA ORIGINAL TSSOP | 7AA.pdf | |
![]() | 1N4099CURTR | 1N4099CURTR Microsemi SMD | 1N4099CURTR.pdf | |
![]() | STR24C08R | STR24C08R ST SOP-8 | STR24C08R.pdf | |
![]() | CBB0.22UF250V | CBB0.22UF250V ORIGINAL SMD or Through Hole | CBB0.22UF250V.pdf | |
![]() | L3N4GT | L3N4GT AOPLED ROHS | L3N4GT.pdf | |
![]() | OTB-196(576PG)-0.65-18 | OTB-196(576PG)-0.65-18 ENPLAS SMD or Through Hole | OTB-196(576PG)-0.65-18.pdf | |
![]() | HK2V277M25040 | HK2V277M25040 SAMW DIP2 | HK2V277M25040.pdf | |
![]() | XR16L758CQ | XR16L758CQ EXAR QFP | XR16L758CQ.pdf |